Aplikasyon nan mikwoskòp nan endistri estratejik émergentes dirije
1, Entwodiksyon materyèl substrate safi
Akòz pwopriyete yo bon posibilite nan safi, pèt dyelèktrik se ti, rezistans tanperati ki wo, rezistans korozyon. Bon konduktiviti tèmik, nan fòs la mekanik se wo ase. Epi yo ka trete nan yon sifas ki plat. Bann transmisyon an lajè. Se poutèt sa, lajman ki itilize nan endistri, defans nasyonal, rechèch syantifik nan anpil jaden. An menm tan an tou se yon bon substra materyèl pou yon pakèt limyè-emisyon dyod. Nan jenerasyon limyè-émettant diodes se * pwomèt pou tounen yon gwo-klète limyè émet-dyòd fanmi safi substrate substrate pa pwochen jenerasyon fluorescent lanp, semi-conducteurs aparèy limyè émet materyèl substrate. Koulye a, sa yo gwo klète limyè-emisyon dyod yo te lajman itilize nan piblisite, limyè trafik, limyè enstriman; ak limyè chirijikal ak lòt jaden. Avèk aplikasyon an ogmante nan gwo klète limyè-emisyon dyod.
LED Sapphire (Sapphire) se yon kristal sèl nan oksid aliminyòm, ke yo rele tou corundum. Safi kristal gen ekselan pwopriyete optik, pwopriyete mekanik ak estabilite chimik, gwo fòs, dite, rezistans lave, ka fèmen nan 2000 degre tanperati ki wo nan kondisyon piman bouk. Dapre rechèch, gen sèlman kat materyèl substra ki ka aplike nan dirije (gade Tablo I anba a). Safi, kòm yon kristal teknoloji enpòtan, kounye a te fòme yon aplikasyon ki pi alamòd ak matirite nan endistri a ki ap dirije.
2. Aplikasyon
Sèvi ak mikwoskòp polarize Leica a li posib pou idantifye birefringans nòmal nan kristal safi. Nan sèten sikonstans, avèk èd nan mikwoskòp limyè kòn, ou ka obsève modèl la entèferans nan kristal la, detèmine axiality nan kristal la, yo itilize yo obsève si direksyon an nan chak wafer se inifòm, yo nan lòd yo jije substra a bon oswa move.
Leica mikwoskòp, optik mikwoskòp elèktron nan pwodiksyon an nan wafer epitaksi ki ap dirije, ki ap dirije aplikasyon pou pwosesis preparasyon chip
1, Entwodiksyon nan wafer epitaksi ki ap dirije
Dirije epitaxial wafer kwasans nan prensip debaz la se: nan yon moso nan chofaj nan tanperati ki apwopriye a nan substra a substra (sitou safi ak, SiC, Si), sibstans nan gaz InGaAlP kontwole transpò nan sifas la nan substra a, kwasans lan nan yon fim espesifik yon sèl kristal. Teknoloji kwasans epitaxial ki ap dirije aktyèl la sitou itilize metòd depo chimik òganik metal (MOCVD)
2, ki ap dirije chip entwodiksyon
Ki ap dirije chip, konnen tou kòm ki ap dirije limyè ki emèt chip, se eleman debaz nan limyè dirije, ki se refere tou kòm PN junction. Fonksyon prensipal li se: konvèti enèji elektrik nan enèji limyè, materyèl prensipal la nan chip la se Silisyòm monokristalin. Semiconductor chip konsiste de de pati, yon pati se P-type semiconductor, nan ki twou domine, lòt fen a se N-kalite semi-conducteur, sou bò sa a se sitou elektwonik. Men, lè de semi-conducteurs sa yo konekte, yon junction PN fòme ant yo. Lè aktyèl la aji sou wafer sa a atravè fil la, elektwon yo pouse nan rejyon P, kote elektwon yo konpoze ak twou yo, ak Lè sa a, enèji emèt nan fòm foton, ki se prensip la nan luminesans ki ap dirije. Ak longèdonn limyè a, ki se koulè limyè a, detèmine pa fòmasyon nan materyèl junction PN.
3, Aplikasyon:
a) Sèvi ak SEM pou detekte enfòmasyon mòfoloji korozyon debwatman sifas kristal la apre kwasans wafer epitaxial;
Siyifikasyon an bay nan mòfoloji a korozyon debwatman nan sifas la kristal: korozyon an debwatman nan chak echantiyon prezante diferan fòm ak kristal la fè pati gwoup la pwen ak estrikti nan kristal la detèmine pa wòl nan ajan chimik korozivite se detwi molekil yo. ak atòm nan entèraksyon yo kristal ant lyezon an, fòs lyezon nan pi piti a premye yo dwe detwi, konsa tankou yo fòme yon sèten fòm nan korozyon nan korozyon an nan korozyon an nan yon plas an patikilye, se konsa yon imaj bon nan korozyon an nan yon korozyon nan la. plas te detay yo nan rann nan **, yo ka konplètman incorporée nan la Bon jan kalite a nan modèl la kwasans kristal.
